Новое семейство SiC MOSFET от Microsemi

Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET)

Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до 1200 В и даже выше.

Партномер Максимальное обратное напряжение, В (VBR) Сопротивление открытого канала, мОм (RDS(on)) Корпус
MSC090SMA070B 700 90 TO-247
MSC090SMA070S D3PAK
MSC060SMA070B 60 TO-247
MSC060SMA070S D3PAK
MSC035SMA070B 35 TO-247
MSC035SMA070S D3PAK
MSC015SMA070B 15 TO-247
MSC015SMA070S D3PAK
MSC280SMA120B 1200 280 TO-247
MSC280SMA120S D3PAK
MSC140SMA120B 140 TO-247
MSC140SMA120S D3PAK
MSC080SMA120B 80 TO-247
MSC080SMA120S D3PAK
MSC080SMA120J SOT-227
MSC040SMA120B 40 TO-247
MSC040SMA120S D3PAK
MSC040SMA120J SOT-227
MSC025SMA120B 25 TO-247
MSC025SMA120S D3PAK
MSC025SMA120J SOT-227
MSC750SMA170B 1700 750 TO-247
MSC750SMA170S D3PAK
MSC045SMA170B 45 TO-247
MSC045SMA170S SOT-227

Источник

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *