Решения TE Сonnectivity для умных жилых и коммерческих зданий

Компания TE Connectivity предлагает полную номенклатуру внутренних элементов систем управления жилых домов и коммерческой недвижимости, которые делают их более умными.

STM32MP1 — новый многоядерный микропроцессор от STMicroelectronics, поддерживающий работу с Linux

Компания STMicroelectronics выпустила линейку новых многоядерных микропроцессоров STM32MP1, построенных на базе процессоров ARM Cortex-A7 и ARM Cortex-M4, имеющих поддержку Linux и способных выполнять самые разные задачи в режиме реального времени.

Микросхемы памяти родом из Кореи

Компоненты SRAM и SLC NAND Flash от корейского разработчика и производителя Netsol появились на российском рынке два года назад и постепенно продолжают завоевывать популярность, особенно в тех сферах, где требуется высоконадежная память. О современном состоянии рынка памяти типа SRAM и SLC NAND Flash и о перспективах развития компании в России нашему журналу рассказал Юс Ли (Ys Lee), директор по развитию компании Netsol.

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А, поэтому для повышения нагрузочной способности силовой модуль должен содержать большое количество параллельных чипов. При разработке конструкции перспективных карбидокремниевых ключей необходимо решить две основные задачи. Для обеспечения высокой скорости переключения SiC-приборов следует снизить паразитную индуктивность силовых терминалов до уровня не более 5 нГн. Кроме того, параллельное включение сверхбыстрых кристаллов предполагает высокую симметрию силовых и сигнальных цепей внутри силового модуля [1]. Использование гибких SKiN-пленок для соединения чипов и терминалов открывает новые возможности проектирования силовых ключей и обеспечивает значительное снижение коммутационных индуктивностей [2]. Еще одной проблемой является разработка терминалов для подключения DC-шины. Отраслевые стандарты требуют соблюдения определенных зазоров и путей тока утечки, что приводит к образованию паразитной индуктивности более 10 нГн только в зоне подключения звена постоянного тока силовых модулей. Новый SiC MOSFET-модуль создан на основе SKiN-технологии, применение которой позволяет преодолеть основные ограничения традиционных технологий силовой электроники. Двухслойная гибкая пленка, которая спекается с контактными поверхностями кристаллов, используется и для их соединения с силовым интерфейсом. Такой принцип корпусирования обеспечивает ультранизкую индуктивность токового пути, соединяющего звено постоянного тока и силовые кристаллы. При этом дополнительные снабберные конденсаторы не требуются. Как будет показано далее, паразитная индуктивность полумостового SKiN-модуля с восемью параллельными 50-А кристаллами SiC MOSFET не превышает 1,4 нГн.

Переключатели на pin-диодах Macom

Решая задачи реализации опытно-конструкторских разработок, инженеры так или иначе сталкиваются с разнообразием выбора pin-диодов. Дискретные pin-диоды, гибридные интегральные схемы (HMIC), интегральные схемы на основе AlGaAs. Что же выбрать?

Драйверы SEMIKRON для 3-уровневых инверторов. Часть 1

Рис. 1. SEMIKRON выпускает широкую гамму 3-уровневых модулей в конфигурации MLI Общие положения Принцип работы многоуровневой схемы прост: модули или инверторные ячейки соединяются последовательно, за счет этого напряжение питания устройства может быть выше рабочего напряжения отдельных ключей. Подобное решение позволяет сформировать многоступенчатый выходной сигнал, снизить уровень гармонических искажений и отказаться от дорогостоящих и громоздких выходных фильтров. Очевидно, что все силовые ключи при этом должны управляться гальванически изолированными сигналами. Типовые схемы 2L- и ...

Применение датчиков Honeywell в аппаратах для лечения апноэ во сне

Апноэ во сне — это повторяющаяся остановка дыхания во время сна, происходящая иногда сотни раз за ночь, часто с продолжительностью минуту или дольше. При отсутствии терапии ночное апноэ может стать причиной высокого давления, различных сердечно-сосудистых заболеваний, потери памяти и проблем с весом. Различные медицинские исследования показывают, что апноэ, продолжающееся длительное время и оставленное без лечения, может также повысить риск рака. Отсутствие полноценного сна также приводит к ухудшению работоспособности и снижению концентрации внимания.

Новый законченный ГНСС-модуль для «Интернета вещей» Teseo-LIV3F производства STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics начала производство ГНСС-приемников Teseo-LIV3F на базе нового чипа Teseo-III STM. Модуль обеспечивает одновременную работу с космическими навигационными системами: GPS L1C/A, SBAS L1C/A, QZSS L1C/A, GLONASS L1OF, BeiDou B1, Galileo E1B/C. Чувствительность приемника не хуже –163 дБм. Погрешность определения координат в режиме Standalone составляет 1,5 м (CEP).

TPSM831D31 — новое решение от Texas Instruments для организации питания цифровой вычислительной техники

Современные высокопроизводительные микросхемы, такие, например, как процессоры, ASIC и FPGA, обычно отличаются низким напряжением питания и чрезвычайно высоким током потребления. Это приводит к тому, что процесс создания источника питания для цифровых вычислительных систем оказывается достаточно сложным и имеет целый ряд особенностей. Вместе с тем на рынке появляются различные решения, способные совершить настоящую революцию в данной области. Одно из таких решений — модульные источники питания TPSM831D31 с суммарным выходным током до 160 А.

Конференция Honeywell Users Group EMEA 2018. Подключенное производство

С первого по четвертое октября в Мадриде прошла 30-я по счету ежегодная конференция Honeywell Users Group для стран Европы, Ближнего Востока и Африки.