• MAAL-011151 новый усилитель от MACOM c ультранизким уровнем фазовых шумов
      Компания MACOM анонсировала выход своего первого усилителя MAAL-011151 из нового семейства широкополосных усилителей с ультранизкими фазовыми шумами  Фазовый шум является критичной характеристикой при определении стабильности частоты источника сигнала, что существенно влияет на чувствительность приемника. MAAL-011151 обеспечит линейное усиление 16 дБ в полосе частот от 2 до 18 ГГц и коэффициент шума 5 дБ на частоте […]
    • Вышел новый номер журнала «Вестник Электроники» №4 (64) 2018
      Уважаемые читатели! Вышел в свет новый номер журнала «Вестник Электроники» №4 (64) 2018 Тема номера — Интернет вещей В журнале вы найдете: Новый законченный ГНСС-модуль для «Интернета вещей» Teseo-LIV3F производства STMicroelectronics Как повысить качество жизни с помощью средств домашней автоматизации Применение датчиков Honeywell в аппаратах для лечения апноэ во сне Домашние технологии: от подключенных к портативным TPSM831D31 — […]
    • STM32G0 Новая серия микроконтроллеров STM32G0
      Серия STM32G0 – новый микроконтроллер от STMicroelectronics с ядром Arm® Cortex®-M0+, устанавливающий новое определение эффективного микроконтроллера Улучшение оптимизации, вплоть до каждой детали, чтобы предложить наилучшее соотношение цены и качества и позволить достичь целей с минимальными затратами и максимальной гибкостью для обновлений. Линия STM32G0x0 является конкурентом традиционным 8- и 16-битным микроконтроллерам, кроме того, содержит внутренний генератор, […]
    • Новые преобразователи серии THN 15/20/30WI от компании Traco Power
      Компания Traco Power расширяет возможности применения источников питания для изделий, требующих низкий уровень шума и пульсации за счёт серий THN 15/20/30WI Новые модели серии THN с выходом 5 В, с суффиксом A1 в обозначении (пример THN 15-2411WI-A1), позволяют регулировать выходное напряжение в -10 % и + 20 %, что позволяет добиться выходного напряжения у серии […]
    • Новое семейство SiC MOSFET от Microsemi
      Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET) Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до 1200 В и даже выше. […]
  • Новости

    18.03.2019 Пылезащитный пусковой переключатель Omron Electronics C3AW 11.03.2019 Новый iNEMOОТ STMicroelectronics 05.03.2019 Серия микропроцессоров STM32MP1 с двумя ядрами Arm® Cortex®-A7 и Cortex®-M4 28.02.2019 Замена ВЧ высокодобротных конденсаторов ATC и Knowles от компании Exxelia
  • События

    15 Апр
    ЭкспоЭлектроника 2019
    Календарь событий

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А, поэтому для повышения нагрузочной способности силовой модуль должен содержать большое количество параллельных чипов. При разработке конструкции перспективных карбидокремниевых ключей необходимо решить две основные задачи. Для обеспечения высокой скорости переключения SiC-приборов следует снизить паразитную индуктивность силовых терминалов до уровня не более 5 нГн. Кроме того, параллельное включение сверхбыстрых кристаллов предполагает высокую симметрию силовых и сигнальных цепей внутри силового модуля [1]. Использование гибких SKiN-пленок для соединения чипов и терминалов открывает новые возможности проектирования силовых ключей и обеспечивает значительное снижение коммутационных индуктивностей [2]. Еще одной проблемой является разработка терминалов для подключения DC-шины. Отраслевые стандарты требуют соблюдения определенных зазоров и путей тока утечки, что приводит к образованию паразитной индуктивности более 10 нГн только в зоне подключения звена постоянного тока силовых модулей. Новый SiC MOSFET-модуль создан на основе SKiN-технологии, применение которой позволяет преодолеть основные ограничения традиционных технологий силовой электроники. Двухслойная гибкая пленка, которая спекается с контактными поверхностями кристаллов, используется и для их соединения с силовым интерфейсом. Такой принцип корпусирования обеспечивает ультранизкую индуктивность токового пути, соединяющего звено постоянного тока и силовые кристаллы. При этом дополнительные снабберные конденсаторы не требуются. Как будет показано далее, паразитная индуктивность полумостового SKiN-модуля с восемью параллельными 50-А кристаллами SiC MOSFET не превышает 1,4 нГн.

Переключатели на pin-диодах Macom

Решая задачи реализации опытно-конструкторских разработок, инженеры так или иначе сталкиваются с разнообразием выбора pin-диодов. Дискретные pin-диоды, гибридные интегральные схемы (HMIC), интегральные схемы на основе AlGaAs. Что же выбрать?

Драйверы SEMIKRON для 3-уровневых инверторов. Часть 1

Рис. 1. SEMIKRON выпускает широкую гамму 3-уровневых модулей в конфигурации MLI Общие положения Принцип работы многоуровневой схемы прост: модули или инверторные ячейки соединяются последовательно, за счет этого напряжение питания устройства может быть выше рабочего напряжения отдельных ключей. Подобное решение позволяет сформировать многоступенчатый выходной сигнал, снизить уровень гармонических искажений и отказаться от дорогостоящих и громоздких выходных фильтров. Очевидно, что все силовые ключи при этом должны управляться гальванически изолированными сигналами. Типовые схемы 2L- и ...

Применение датчиков Honeywell в аппаратах для лечения апноэ во сне

Апноэ во сне — это повторяющаяся остановка дыхания во время сна, происходящая иногда сотни раз за ночь, часто с продолжительностью минуту или дольше. При отсутствии терапии ночное апноэ может стать причиной высокого давления, различных сердечно-сосудистых заболеваний, потери памяти и проблем с весом. Различные медицинские исследования показывают, что апноэ, продолжающееся длительное время и оставленное без лечения, может также повысить риск рака. Отсутствие полноценного сна также приводит к ухудшению работоспособности и снижению концентрации внимания.

Новый законченный ГНСС-модуль для «Интернета вещей» Teseo-LIV3F производства STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics начала производство ГНСС-приемников Teseo-LIV3F на базе нового чипа Teseo-III STM. Модуль обеспечивает одновременную работу с космическими навигационными системами: GPS L1C/A, SBAS L1C/A, QZSS L1C/A, GLONASS L1OF, BeiDou B1, Galileo E1B/C. Чувствительность приемника не хуже –163 дБм. Погрешность определения координат в режиме Standalone составляет 1,5 м (CEP).

TPSM831D31 — новое решение от Texas Instruments для организации питания цифровой вычислительной техники

Современные высокопроизводительные микросхемы, такие, например, как процессоры, ASIC и FPGA, обычно отличаются низким напряжением питания и чрезвычайно высоким током потребления. Это приводит к тому, что процесс создания источника питания для цифровых вычислительных систем оказывается достаточно сложным и имеет целый ряд особенностей. Вместе с тем на рынке появляются различные решения, способные совершить настоящую революцию в данной области. Одно из таких решений — модульные источники питания TPSM831D31 с суммарным выходным током до 160 А.

Конференция Honeywell Users Group EMEA 2018. Подключенное производство

С первого по четвертое октября в Мадриде прошла 30-я по счету ежегодная конференция Honeywell Users Group для стран Европы, Ближнего Востока и Африки.

Разъемы IDC для транспортных применений

Разъемы IDC могут гарантированно обеспечить высококачественное непаяное, газонепроницаемое соединение, что делает их оптимальным решением для высокопроизводительных применений, требующих высокой надежности, — таких как, например, оборудование автотранспортных средств различного назначения.

Домашние технологии: от подключенных к портативным

На протяжении тысячелетий своего существования понятие «дом» значительно изменялось. За последние десятилетия технология превратила дома из «крепости» в «центры функциональности», то есть в центры развлечений, управления средой и экологически чистого использования. А кроме того — в место работы, занятия фитнесом, при этом расширив функции безопасности, управляемости и внеся целый ряд изменений в то, что мы еще совсем недавно называли домом.

Как повысить качество жизни с помощью средств домашней автоматизации

В прессе сейчас довольно много пишут про «Интернет вещей» (Internet of Things, IoT), и я задумался: а что это может дать лично мне как простому пользователю?