Новое семейство SiC MOSFET от Microsemi

Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET)

Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до 1200 В и даже выше.

ПартномерМаксимальное обратное напряжение, В (VBR)Сопротивление открытого канала, мОм (RDS(on))Корпус
MSC090SMA070B70090TO-247
MSC090SMA070SD3PAK
MSC060SMA070B60TO-247
MSC060SMA070SD3PAK
MSC035SMA070B35TO-247
MSC035SMA070SD3PAK
MSC015SMA070B15TO-247
MSC015SMA070SD3PAK
MSC280SMA120B1200280TO-247
MSC280SMA120SD3PAK
MSC140SMA120B140TO-247
MSC140SMA120SD3PAK
MSC080SMA120B80TO-247
MSC080SMA120SD3PAK
MSC080SMA120JSOT-227
MSC040SMA120B40TO-247
MSC040SMA120SD3PAK
MSC040SMA120JSOT-227
MSC025SMA120B25TO-247
MSC025SMA120SD3PAK
MSC025SMA120JSOT-227
MSC750SMA170B1700750TO-247
MSC750SMA170SD3PAK
MSC045SMA170B45TO-247
MSC045SMA170SSOT-227

Источник

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *