SEMITRANS 10 DPD –  IGBT модуль в корпусе Prime Pack 

SEMIKRON представляет SEMITRANS 10 DPD – модуль IGBT в стандартном конструктиве Prime Pack с медной базовой платой и винтовыми терминалами. Номинальное значение выходного тока повышено до 1800A за счет использования новейшей DPD технологии (Direct Pressed Die). Улучшенные динамические характеристики и малый уровень потерь в сочетании с низким тепловым сопротивлением Rth позволили повысить выходную мощность на 30% относительно стандартного конструктива с паяным соединением кристаллов при Tjop менее 150°C. Уникальная концепция шинных соединений DPD позволяет существенно повысить мощность преобразователя без переделки конструкции и повышения эффективности системы охлаждения.

 

Преимущества:

  • надежный стандартный промышленный конструктив;
  • технология монтажа кристаллов Direct Pressed Die (DPD);
  • оптимизированная низкоиндуктивная конструкция промежуточных соединений для снижения уровня перенапряжений;
  • улучшенные динамические характеристики.

 

Применения
Новые модули SEMITRANS 10 DPD предназначены для использования в широком диапазоне применений, где предъявляются повышенные требования к надежности, такие как альтернативная энергетика, промышленные привода, электротранспорт.
Модули SEMITRANS 10 DPD рабочим напряжением 1700В и номинальным током 1800А будут выпускаться в полумостовой конфигурации в стандартном конструктиве Prime Pack.

Повышенная выходная мощность, хорошее выравнивание токов при параллельном соединении
Модули SEMITRANS 10 DPD, управляемые от драйвера SKYPER Prime оптимизированы для параллельного включения.

  • Цифровая обработка сигнала SKYPER Prime обеспечивает высокую стабильность динамических характеристики в широком диапазоне температур в течение всего срока службы.
  • Стабильный уровень напряжения управления для симметричного распределения тока.
  • Прямое параллельное соединение сигналов ошибки и управления, выходных сигналов датчиков.
  • Симметричное управление затворами при использовании концепции «индивидуального» управления.
  • Простой способ соединения параллельных каналов «Board-to-board».

 

 

Уникальная концепция подключения кристаллов

  • Низкое тепловое сопротивление Rth за счет использования технологии DPD.
  • Стойкость к термоциклированию повышена примерно в 10 раз благодаря замене сварных соединений Al проводников на шинную архитектуру.

 

Повышение выходной мощности

  • Выходная мощность повышена на 30% по сравнению с показателями аналогичного модуля с такими же кристаллами и аналогичной интенсивностью охлаждения.
  • Оптимизированные динамические характеристики за счет снижения паразитной индуктивности внутренних сигнальных и силовых соединений.

 


По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Силовая электроника.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *