В последнее время значительно увеличился интерес к системам контроля персонала, причем если раньше самым востребованным устройством была электронная проходная, то сейчас есть интерес и к определению местонахождения работника на самом предприятии. Конечно, различные считыватели на дверях позволяют на основе персональных карт сотрудников отследить местоположение с точностью до помещения, но на открытых территориях они уже бесполезны. Здесь на первый план выходят системы на базе носимых устройств с возможностью определения точных координат и дальнейшей передачи их в диспетчерский центр для ...

Для реализации технологий «умного города» в Санкт-Петербурге предложен подход, ориентированный на гибкий итерационный процесс отбора и планирования внедрения «умных» решений. Выделены четыре основные стадии — определение приоритетов развития города, оценка и выбор подходящих решений, планирование и реализация, внедрение и оценка эффективности выбранных решений. Процесс имплементирован в деятельность проектного офиса «Умный Санкт-Петербург», выступающего в роли экспертной группы под патронажем администрации Северной столицы. В статье обобщается опыт функционирования проектного офиса в части планирования применения интеллектуальных технологий в управлении развитием городов.

В статье описываются возможности применения датчиков Honeywell в хроматографических системах.

Операторы систем постоянно контролируют состояние окружающей их среды, причем зачастую неожиданными способами, такими как ощущение легкого дуновения на лице, улавливание движения боковым зрением, небольших изменений давления в ушах и подошвах ног. Чтобы соответствовать такой информированности, интеллектуальным системам необходим хорошо спроектированный и настроенный массив датчиков, который сможет обеспечить их всеми данными, необходимыми не только для непосредственного выполнения системных функций, но и для предоставления им ситуационной осведомленности.«Умным домам», к примеру, требуется общая информация о состоянии окружающей среды, чтобы гарантировать безопасную эксплуатацию при любых обстоятельствах, включая чрезвычайные события, такие как землетрясения. В свою очередь, потребительские устройства – шагомеры, дроны и смартфоны – испытывают растущую потребность в собственных сенсорных решениях, поскольку их функции приумножаются и сами они становятся более автономными.В связи с этим можно выделить три основные тенденции развития датчиков. Во-первых, объединение множества датчиков в общую платформу с единым интерфейсом для упрощения проектирования системы. Второй тренд – это совершенствование датчиков с помощью алгоритмов, обеспечивающих интерпретацию собранных данных. И, наконец, эволюция новых классов устройств, предназначенных для аккумуляторных систем со сверхнизким энерго-потреблением, таких как дроны.

Компания STMicroelectronics — один из лидеров рынка электронных компонентов — представила новую мультипротокольную систему на базе кристалла STM32WB55. Система предназначена в первую очередь для создания IoT-устройств (устройств «Интернета вещей») и имеет поддержку протоколов Bluetooth Low Energy 5.0, ZigBee и Thread, малое энергопотребление и высокую производительность.

Понимание того, как работает машинное зрение, поможет выяснить, устранит ли оно определенные трудности в ходе производственных и технологических процессов, а также при выпуске конечной продукции.

Компания TE Connectivity предлагает полную номенклатуру внутренних элементов систем управления жилых домов и коммерческой недвижимости, которые делают их более умными.

Компания STMicroelectronics выпустила линейку новых многоядерных микропроцессоров STM32MP1, построенных на базе процессоров ARM Cortex-A7 и ARM Cortex-M4, имеющих поддержку Linux и способных выполнять самые разные задачи в режиме реального времени.

Компоненты SRAM и SLC NAND Flash от корейского разработчика и производителя Netsol появились на российском рынке два года назад и постепенно продолжают завоевывать популярность, особенно в тех сферах, где требуется высоконадежная память. О современном состоянии рынка памяти типа SRAM и SLC NAND Flash и о перспективах развития компании в России нашему журналу рассказал Юс Ли (Ys Lee), директор по развитию компании Netsol.

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А, поэтому для повышения нагрузочной способности силовой модуль должен содержать большое количество параллельных чипов. При разработке конструкции перспективных карбидокремниевых ключей необходимо решить две основные задачи. Для обеспечения высокой скорости переключения SiC-приборов следует снизить паразитную индуктивность силовых терминалов до уровня не более 5 нГн. Кроме того, параллельное включение сверхбыстрых кристаллов предполагает высокую симметрию силовых и сигнальных цепей внутри силового модуля [1]. Использование гибких SKiN-пленок для соединения чипов и терминалов открывает новые возможности проектирования силовых ключей и обеспечивает значительное снижение коммутационных индуктивностей [2]. Еще одной проблемой является разработка терминалов для подключения DC-шины. Отраслевые стандарты требуют соблюдения определенных зазоров и путей тока утечки, что приводит к образованию паразитной индуктивности более 10 нГн только в зоне подключения звена постоянного тока силовых модулей. Новый SiC MOSFET-модуль создан на основе SKiN-технологии, применение которой позволяет преодолеть основные ограничения традиционных технологий силовой электроники. Двухслойная гибкая пленка, которая спекается с контактными поверхностями кристаллов, используется и для их соединения с силовым интерфейсом. Такой принцип корпусирования обеспечивает ультранизкую индуктивность токового пути, соединяющего звено постоянного тока и силовые кристаллы. При этом дополнительные снабберные конденсаторы не требуются. Как будет показано далее, паразитная индуктивность полумостового SKiN-модуля с восемью параллельными 50-А кристаллами SiC MOSFET не превышает 1,4 нГн.