Компания Intersil представила семейство силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов с космической квалификацией. ISL73023SEH (100 В @ 65 А) и ISL73024SEH (200 В @ 7,5 А) разработаны на базе кристаллов компании EPC, которые уже успели зарекомендовать себя на рынке силовых полупроводников. При более компактном корпусе, транзисторы на нитриде-галлия обеспечивают на 10 порядков лучшую производительность, чем стандартные кремниевые МОП-транзисторы, к слову общая площадь SMD корпуса ISL73023SEH и ISL73024SEH всего 42 мм². Высокая подвижность электронов и низкая теплопроводность нитрида-галлия ...