STMicroelectronics представляет семейство мощных транзисторов

Компания STMicroelectronics представила  семейство мощных транзисторов, полностью сертифицированных для использования в электронных бортовых подсистемах спутников и ракет-носителей.

Новая линейка устойчивых к радиации транзисторов включает шесть устройств: N-канальные на напряжения 100 В (STRHxxxN10) и 60 В (STRHxxxN6) и на токи 30–80 А. 100 В P-канальные устройства поддерживают токи соответственно 10 и 34 А. Благодаря характерному для технологии STripFET низкому заряду затвора, который обеспечивает улучшенные характеристики коммутации, эти транзисторы оптимально подходят для использования в мощных модулях постоянного тока, таких как контроллеры двигателей, линейные коммутаторы и ограничители тока e-fuse.

Основные характеристики MOSFET от компании ST, сертифицированных для космоса:

• высокая скорость коммутации;
• 100% тестирование на лавинный пробой;
• герметичные упаковки;
• устойчивость к общей дозе ионизирующего излучения (TID) 70/100 кРад;
• устойчивость к радиации SEE.

Семейства STRHxxxN10 и STRHxxxN6 доступны в настоящее время для полетов класса EM (Engineering Model) или ESCC в сквозных пакетах TO-254-AA и TO-39. Предлагается также конфигурация SMD.5 с поверхностным монтажом.