Новый GaN-транзистор Microsemi для частотного диапазона 50 МГц – 1 ГГц

Компания Microsemi анонсировала выпуск GaN-транзистора 0510GN-25-CP, предназначенного для работы в частотном диапазоне от 50 МГц до 1 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режиме.

Транзистор основан на технологии GaN-on-SiC и выпускается в керамическом SMT корпусе, который обладает высокой теплопроводностью для обеспечения превосходной производительности и надежности.

Ключевые параметры GaN-транзистора 0510GN-25-CP:

• широкая полоса рабочих частот от 50 МГц до 1 ГГц,
• пиковая выходная мощность 25 Вт,
• коэффициент усиления 16 дБ,
• КПД 50%,
• напряжение питания 50 В,
• керамический SMT корпус 4 мм х 5 мм.

Основными областями применения для этого устройства являются импульсные радары, авиационное оборудование, передатчики ISM диапазона и профессиональная радиосвязь.

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам в Отдел активных компонентов