Преимущества использования полевых GaN-транзисторов в непилотируемых космических аппаратах

Доминирующее положение в индустрии космического и высоконадежного оборудования уже долгое время занимают кремниевые полевые транзисторы, но они быстро приближаются к теоретическому пределу своих возможностей или как сейчас говорят — производительности. Поэтому, для того чтобы двигаться вперед, нам необходимо обратить внимание на полупроводники с широкой запрещенной зоной, а именно на приборы, выполненные на основе нитрида галлия (GaN). Такие транзисторы по сравнению с традиционными кремниевыми полевыми транзисторами имеют целый ряд преимуществ: габаритные размеры, вес, эффективность. Кроме того, полевые GaN-транзисторы характеризуются меньшим требуемым для них физическим расстоянием между истоком и стоком, что приводит к значительно меньшему размеру кристалла и более низкому сопротивлению канала в открытом состоянии, а следовательно, к меньшим потерям проводимости. Меньший по размерам кристалл способствует и уменьшению выходной емкости и позволяет минимизировать паразитные индуктивности, что связано с особенностями компоновки транзистора, а это, в свою очередь, приводит к снижению коммутационных потерь.

«Серийно-заказные» соединители: превосходный вариант для медицинской аппаратуры

«Сердцем» многих медицинских устройств и систем служит электроника. Поскольку перед производителями этих устройств и систем стоит задача непрерывно обеспечивать надежность своей продукции, одновременно снижая ее стоимость, им приходится обращать пристальное внимание на электронику, в том числе и соединители. Заказной соединитель может хорошо подходить для конкретного изделия, но обходится дороже и требует больше временных затрат, чем серийный. Серийный же соединитель может не обладать всеми нужными качествами. Разрешить это противоречие позволяет так называемый «серийно-заказной» соединитель, определенные параметры которого (например, число контактов и ориентирующие элементы) могут задаваться по требованию заказчика.

MSC040SMA120B — новый силовой SiC MOSFET от Microsemi

Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247 Параметры MSC040SMA120B Напряжение сток-исток 1200 В Максимальный постоянный ток (25°С) 64 А Максимальный постоянный ток (10°С) 45 А Предельный импульсный ток 105 А Диапазон напряжений затвор-исток -10…25 В Диапазон рабочих температур кристалла ...

Howto Figure Out How To Study & Spell Greater

The best / optimally approach to strategy essay writing skills will be to begin at the sentence level. Cause and effect yet another major aspect to a few types of authorship. It really is quite a versatile kind of authorship, but there are a couple of general guidelines which you have to follow. It's a useful approach write essay online and often fosters the clarity and business of student texts. Achieving this is an exceptional method of search for understanding. Consequently, the focus is greater on every facet of this type of authorship. When education starting creating, punctuation is ...