Преимущества использования полевых GaN-транзисторов в непилотируемых космических аппаратах

Доминирующее положение в индустрии космического и высоконадежного оборудования уже долгое время занимают кремниевые полевые транзисторы, но они быстро приближаются к теоретическому пределу своих возможностей или как сейчас говорят — производительности. Поэтому, для того чтобы двигаться вперед, нам необходимо обратить внимание на полупроводники с широкой запрещенной зоной, а именно на приборы, выполненные на основе нитрида галлия (GaN). Такие транзисторы по сравнению с традиционными кремниевыми полевыми транзисторами имеют целый ряд преимуществ: габаритные размеры, вес, эффективность. Кроме того, полевые GaN-транзисторы характеризуются меньшим требуемым для них физическим расстоянием между истоком и стоком, что приводит к значительно меньшему размеру кристалла и более низкому сопротивлению канала в открытом состоянии, а следовательно, к меньшим потерям проводимости. Меньший по размерам кристалл способствует и уменьшению выходной емкости и позволяет минимизировать паразитные индуктивности, что связано с особенностями компоновки транзистора, а это, в свою очередь, приводит к снижению коммутационных потерь.

«Серийно-заказные» соединители: превосходный вариант для медицинской аппаратуры

«Сердцем» многих медицинских устройств и систем служит электроника. Поскольку перед производителями этих устройств и систем стоит задача непрерывно обеспечивать надежность своей продукции, одновременно снижая ее стоимость, им приходится обращать пристальное внимание на электронику, в том числе и соединители. Заказной соединитель может хорошо подходить для конкретного изделия, но обходится дороже и требует больше временных затрат, чем серийный. Серийный же соединитель может не обладать всеми нужными качествами. Разрешить это противоречие позволяет так называемый «серийно-заказной» соединитель, определенные параметры которого (например, число контактов и ориентирующие элементы) могут задаваться по требованию заказчика.

MSC040SMA120B — новый силовой SiC MOSFET от Microsemi

Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247 Параметры MSC040SMA120B Напряжение сток-исток 1200 В Максимальный постоянный ток (25°С) 64 А Максимальный постоянный ток (10°С) 45 А Предельный импульсный ток 105 А Диапазон напряжений затвор-исток -10…25 В Диапазон рабочих температур кристалла -55…+175 °С Сопротивление открытого канала (типовое) ...