Компания Microsemi анонсировала выпуск GaN-транзистора 0510GN-25-CP, предназначенного для работы в частотном диапазоне от 50 МГц до 1 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режиме.Транзистор основан на технологии GaN-on-SiC и выпускается в керамическом SMT корпусе, который обладает высокой теплопроводностью для обеспечения превосходной производительности и надежности. Ключевые параметры GaN-транзистора 0510GN-25-CP:широкая полоса рабочих частот от 50 МГц до 1 ГГц, пиковая выходная мощность 25 Вт, коэффициент усиления 16 дБ, КПД 50%, напряжение питания 50 В, ...