Компания Infineon улучшила параметры IGBT модулей FF800R17KP4_B2 и FF1200R17KP4_B2

Компания Infineon — один из лидеров на рынке силовых полупроводников — сообщает об улучшении характеристик модулей семейства IHM-A.

igbt_module_infineon

IGBT модули FF800R17KP4_B2 и FF1200R17KP4_B2, в создании которых используются кристаллы последнего, четвертого поколения, выполненные по технологии Trench, прошли квалификационные испытания. Теперь данные модули в отличии от всех остальных, выполненных в форм факторе IHM-A, позволяют работать при предельной рабочей температуре (Tv jop max) 150 °С, а не 125 °С, как это было раннее.

Повышение данного параметра позволит получить больше мощности при той же конструкции инвертора (может потребоватся пересчёт режимов охлаждения для радиатора), так же способствует повышению надежности в уже спроектированных инверторных системах.

Основные сферы применения FF800R17KP4_B2 и FF1200R17KP4_B2 Infineon:

  • Промышленные приводы;
  • Автомобилестроение;
  • Электротранспорт.

 

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *