Компания Infineon улучшила параметры IGBT модулей FF800R17KP4_B2 и FF1200R17KP4_B2
Компания Infineon — один из лидеров на рынке силовых полупроводников — сообщает об улучшении характеристик модулей семейства IHM-A.
IGBT модули FF800R17KP4_B2 и FF1200R17KP4_B2, в создании которых используются кристаллы последнего, четвертого поколения, выполненные по технологии Trench, прошли квалификационные испытания. Теперь данные модули в отличии от всех остальных, выполненных в форм факторе IHM-A, позволяют работать при предельной рабочей температуре (Tv jop max) 150 °С, а не 125 °С, как это было раннее.
Повышение данного параметра позволит получить больше мощности при той же конструкции инвертора (может потребоватся пересчёт режимов охлаждения для радиатора), так же способствует повышению надежности в уже спроектированных инверторных системах.
Основные сферы применения FF800R17KP4_B2 и FF1200R17KP4_B2 Infineon:
- Промышленные приводы;
- Автомобилестроение;
- Электротранспорт.