Для соединения силовых полупроводниковых ключей и пассивных компонентов используются дорожки на печатных платах, а также медные или алюминиевые кабели и шины в зависимости от уровней рабочих токов и напряжений. Кроме общих технических требований, важной проблемой является обеспечение электромагнитной совместимости (EMC) приборов, коммутирующих большие токи с высокой скоростью. В этой связи особое значение приобретают характеристики цепей переключения, обладающих паразитными индуктивностями и емкостями и оказывающих решающее влияние на общее поведение системы. Современные быстрые силовые ключи (MOSFET, IGBT, SiC) неизбежно становятся источником электромагнитных помех (EMI — Electro Magnetic Interference). В данной статье описаны механизмы возникновения EMI и пути решения проблемы электромагнитной совместимости.