Работа мощных GaN-транзисторов Microsemi в импульсном режиме

В статье представлена работа мощных импульсных радиочастотных (ВЧ) GaN-HEMT-транзисторов в импульсном режиме. В качестве примера рассмотрен транзистор 1011GN-700ELM 1030MHz Mode-S Enhanced Message Length (ELM) для применения в авиационных радарах. Детально проанализированы импульсный режим питания затвора и последовательность подачи питания на схему импульсного генератора, устанавливаемого на оценочные платы Microsemi, для испытаний всех импульсных GaN-приборов с общим истоком, работающих в классе AB и применяемых в импульсных авиационных и радарных системах от L- и С- до X- и Ku-диапазонов. Также приводится общее описание разработки входных и выходных ВЧ-цепей 1011GN-700ELM. В заключение представлены импульсные ВЧ-характеристики транзистора 1011GN-700ELM, демонстрирующие использование схемы импульсного генератора, установленного на тестовой плате.