Силовые транзисторы STMicroelectronics в корпусе TO-220 FullPAK с увеличенным расстоянием для путей утечки
Компания STMicroelectronics представила новые силовые транзисторы в корпусе TO-220 FullPAK (TO-220FP) с увеличенным расстоянием для путей утечки.
Корпус TO-220FP wide creepage идеален для силовых транзисторов бескорпусных источников питания, которые подвержены опасности загрязнения внутренних поверхностей пылью и другими частицами, способных привести к возникновению высоковольтной дуги между выводами транзистора. Новый корпус увеличивает расстояние между выводами до 4.25мм и устраняет необходимость в специальной заливке, формовке выводов или герметизации – операциях применяемых для стандартных корпусов транзисторов с расстоянием между выводами 2,54 мм для предотвращения высоковольтной дуги. Производители источников питания теперь смогут минимизировать отказы своей продукции в эксплуатации и достигнуть высоких стандартов безопасности своих изделий без этих дополнительных операций. Это упрощает производство и повышает производительность.
Корпус TO-220FP wide creepage сохраняет электрические свойства популярного корпуса TO-220FP. Более того, сходные габаритные размеры облегчают модернизацию серийных изделий и обеспечивают совместимость с устоявшимися процессами сборки.
Новый корпус с широким расположением выводов был разработан в сотрудничестве с компанией SoluM – одного из корейских лидеров в производстве источников питания. SoluM использует возможности этого корпуса для создания новых решений, более надежных и менее дорогих чем у конкурентов.
ST наращивает объемы выпуска транзисторов в новом корпусе, покрывая возникший на них немалый спрос. Номенклатура этой линейки включает в себя четыре полностью квалифицированных 600В low-RDS(ON) MDmesh™ M2 MOSFET транзистора с номинальными токами от 8 до 34 А. Транзисторы на 1500В STFH12N150K5 и 1200В STFH12N120K5 MDmesh K5, завершат квалификацию к концу Q3 2016.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.