ISL73023SEH/ISL73024SEH – новые безлицензионные силовые GaN транзисторы для космического применения
Компания Intersil представила семейство силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов с космической квалификацией. ISL73023SEH (100 В @ 65 А) и ISL73024SEH (200 В @ 7,5 А) разработаны на базе кристаллов компании EPC, которые уже успели зарекомендовать себя на рынке силовых полупроводников. При более компактном корпусе, транзисторы на нитриде-галлия обеспечивают на 10 порядков лучшую производительность, чем стандартные кремниевые МОП-транзисторы, к слову общая площадь SMD корпуса ISL73023SEH и ISL73024SEH всего 42 мм².
Высокая подвижность электронов и низкая теплопроводность нитрида-галлия позволяет достигать предельно низкого значения сопротивления, так сопротивление открытого канала Rds (on) ISL73023SEH составляет всего 5 мΩ при общем заряде затвора в 14 нКл. Как результат разработчики получают устройство, которое может работать с более высокой частотой коммутации и большей эффективностью, при гораздо меньших масса-габаритных показателях.
Рисунок 1. Компактный SMD корпус ISL73023SEH/ISL73024SEH
Параметр | ISL73023SEH | ISL73024SEH |
Напряжение пробоя | 100В | 200В |
Ток коммутации | 65А | 7.5А |
Сопротивление открытого канала Rds(on) | 5мΩ | 45мΩ |
Общий заряд затвора | 14нКл | 2.5нКл |
Компактный SMD корпус общей площадью 42мм² | ||
Помимо транзисторов, компания также представила и драйвер для их управления — ISL73040SEH, к ключевым особенностям которого можно отнести:
- широкий диапазон рабочих напряжений: 4,5 В … 13,2 В;
- напряжение логических входов до 14,7 В (независимо от уровня Vdd);
- инвертирующие и не инвертирующие входы;
- внутренне регулируемое напряжение затвора 4,5 В;
- независимые выходы для регулирования скорости включения/выключения.
Рисунок 2. Блок-схема драйвера GaN транзисторов ISL73040SEH
Рисунок 3. Типовая схема включения ISL73040SEH
Новые компоненты обладают превосходными характеристиками радиационной стойкости: общая накопленная доза 75 крад (облучение низкой интенсивности 0,01 рад/с), ТЗЧ 86 МэВ*см2/мг и предлагаются в герметичных металлокерамических SMD корпусах, которые обеспечивают работу при температуре окружающей среды от -55 °C до +125 °C.
Также стоит отметить, что представленные транзисторы и драйвер попадают под категорию EAR99, такие компоненты свободны для ввоза на территорию РФ и не требуют лицензирования. Доступны инженерные образцы.
С более подробным описанием компонентов можно ознакомиться в прикрепленных даташитах:
isl70023seh-3023seh
isl70024seh-3024seh
isl70040seh-3040seh
По всем вопросам обращайтесь в департамент активных компонентов.