IGBT-транзисторы серии M1200 В, 8 А с малыми потерями

IGBT-транзисторыSTGWA8M120DF3 – IGBT-транзисторы, выполненные по технологии trench gate field-stop. Данные устройства являются частью M-серии транзисторов, которые представляют собой оптимальный баланс между производительностью и эффективностью инверторной системы, где важны функциональные возможности с малыми потерями и короткими замыканиями. Кроме того, положительный коэффициент температуры напряжения насыщения и узкое распределение параметров обеспечивают более безопасную работу устройства в параллельном режиме.

Ключевые особенности:

  • Время выдержки короткого замыкания – 10 мкс;
  • VCE(sat) = 1.85 В;
  • Узкое распределение параметров;
  • Безопасная работа в параллельном режиме;
  • Низкое тепловое сопротивление.

Более подробно с устройством можно ознакомиться на сайте компании STMicroelectronics.

Источник

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *