STGWA8M120DF3 – IGBT-транзисторы, выполненные по технологии trench gate field-stop. Данные устройства являются частью M-серии транзисторов, которые представляют собой оптимальный баланс между производительностью и эффективностью инверторной системы, где важны функциональные возможности с малыми потерями и короткими замыканиями. Кроме того, положительный коэффициент температуры напряжения насыщения и узкое распределение параметров обеспечивают более безопасную работу устройства в параллельном режиме. Ключевые особенности:Время выдержки короткого замыкания – 10 мкс; VCE(sat) = 1.85 В; ...