Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET) Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до 1200 В и даже выше.Партномер Максимальное обратное напряжение, В (VBR) Сопротивление открытого канала, мОм (RDS(on)) Корпус...