В последнее время высоковольтная силовая электроника проявляет повышенный интерес к карбид-кремниевым МОП-транзисторам (SiC MOSFET). Низкие потери и высокое быстродействие делают их отличной альтернативой IGBT. В частности, новый SiC-транзистор MSC040SMA120B от компании Microsemi имеет рейтинг напряжения 1200 В и чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала — 40 мОм.