Силовые транзисторы STMicroelectronics в корпусе TO-220 FullPAK с увеличенным расстоянием для путей утечки

Компания STMicroelectronics представила новые силовые транзисторы в корпусе TO-220 FullPAK (TO-220FP) с увеличенным расстоянием для путей утечки.Корпус TO-220FP wide creepage идеален для силовых транзисторов бескорпусных источников питания, которые подвержены опасности загрязнения внутренних поверхностей пылью и другими частицами, способных привести к возникновению высоковольтной дуги между выводами транзистора. Новый корпус увеличивает расстояние между выводами до 4.25мм и устраняет необходимость в специальной заливке, формовке выводов или герметизации – операциях применяемых для ...